11.10.2013 - predavanja VISOKOFREKVENČNA TEHNIKA
------------------------------------------------

1. Ponovitev: delovanje varkiap diode v zapornem režimu.
2. Sprememba kapacitivnosti za zvezno in stopničasto (abrupt) dopiranje.
3. Izvedba hyperabrupt dopiranja in razmerje Cmax/Cmin.
4. Vezava varika diode v nihajni krog, dovod enosmernega krmiljenja.
5. Kvaliteta nihajnega kroga, Si in GaAs varikap.
6. Zaporedna upornost hyperabrupt varikap diode.
7. Zmanjševanje nelinearnosti z zaporedno vezavo dveh varikap.
8. Ponovitev: enačba diode v prevodni smeri.
9. Izračun diferencialne upornosti diode v prevodnem režimu.
10. Zgled: prilagoditev VF detektorja s Schottky diodo.
11. Ponovitev: čas rekombinacije manjšinskih nosilcev v PN spoju.
12. Izračun diferencialne kapacitivnosti manjšinskih nosilcev.
13. Tabela zgledov Si diod, kapacitivnosti @1mA in impedance @100MHz.
14. Vezava VF preklopnika s počasno diodo.
15. Lastnosti VF preklopnika s počasno diodo.
16. Izvedba antenskega preklopnika z dvema PIN diodama.
17. Ohišja PIN diod za zaporedno (series) in vzporedno (shunt) vezavo.
18. Vrste PIN diod glede na debelino I plasti, VF stikalo in VF upor.
19. Vezava PIN diode kot spremenljivi VF upor.
20. Velikostni razred upornosti VF upora s PIN diodo.
21. Ponovitev: zgradba Si VP NPN tranzistorja.
22. Simboli za NPN in PNP tranzistorje.
23. Tokovno ojačanje tranzistorja Beta=hfe=B, velikostni razred.
24. Nesimetrično dopiranje čipa, razlika v preboju BE in BK.
25. Dolgoročna posledica preboja BE spoja, rast vzporedne Schottky in izguba ojačanja.
26. Izračun napetostnega ojačanja tranzistorja pri nizkih frekvencah.
27. Upadanje Beta s frekvenco zaradi kapacitivnosti manjšinskih nosilcev.
28. Definicija fBeta in Ft tranzistorja, računanje z zgledi.
29. Vgradnja čipa v ohišje, učinek induktivnosti bondirnih žic.
30. Izvedba čipa z ozemljenim emitorjem in vgradnja v ohišje.
31. Povezave in hlajenje močnostnega VF tranzistorja, ohišje iz BeO.