28.5.2015 - predavanja OPTIČNE KOMUNIKACIJE (UNI)
-------------------------------------------------
1. Frekvenčna meja nelinearnosti polprevodnikov f<1THz.
2. Lastnosti toplotnih sprejemnikov, neodvisni od lambda, meritve.
3. Odkritje selenskega fotoupora, hitrost odziva fotoupora.
4. Vakuumske in polprevodniške fotodiode, kvantni izkoristek.
5. Fotovoltaični in fotouporovni režim delovanja fotodiode.
6. Ponovitev: merska enota eV za energijo.
7. Izbira polprevodnika za diodo: Si, Ge, InGaAs.
8. Izvedba čipa polprevodniške fotodiode, heterostruktura.
9. Definicija odzivnosti I/P fotodiode, izračun in velikostni razred.
10. Krivulja odzivnosti fotodiode s heterostrukturo.
11. Zgradba sprejemnika, fotodioda in ojačevalnik, kapacitivnosti.
12. Občutljivost sprejemnika za en fotoelektron.
13. Napetost N elektronov in zrnati šum sqrt(N) elektronov.
14. Ocena impedance fotodiode in toplotnega šuma sprejemnika.
15. Zgled: izračun jakosti toplotnega šuma v sprejemniku.
16. Razmerje signal/šum, različen šum enic in ničel, faktor Q.
17. Pogosnostn napak BER v svetlobni zvezi pri optimalnem pragu odločanja.
18. Krivulja BER kot funkcija Q, uporabno med 6 in 7.
19. Zgled: občutljivost sprejemnika iz toplotnega šuma.
20. Izračun števila fotonov enice in povprečja fotonov, pripadajoči zrnati šum.
21. Zgled občutljivosti sprejemnika za 1Gbit/s v uW in dBm.
22. Zgled dometa 1.3um zveze točka točka s PIN sprejemnikom.
23. Domet PON, izgube cepljenja omrežja zahtevajo občutljiv sprejemik.
24. Konvektivni in prevodniški tok, zveza s toplotnim šumom.
25. Izvedba, delovanje in lastnosti fotopomnoževalke.
26. Fotodetektorji z ojačenjem: plinska fotodioda in APD.
27. Signal, šum in razmerje signal/šum v sprejemniku s plazovno diodo.
28. Optimalni M in Ub za Si, Ge in InGaAsP APD.
29. Lastnosti APD sprejemnika: 200fotonov/bit, +7dB glede na PIN.
30. Zgradba APD iz InGaAs-InP, množenje elektronov.