16.10.2015 - predavanja VISOKOFREKVENČNA TEHNIKA
------------------------------------------------
1. Poskus: opazovanje trr v diodah, spekter SRD množilnika.
2. Zgodovina: delovanje vakuumske triode 1907.
3. Podobnost med elektronko in poljskim tranzistorjem.
4. Različice poljskih tranzistorjev, JFET in MOSFET.
5. Spojni FET iz silicija, N-kanal in P-kanal, simboli.
6. Kvadratična karakteristika JFET, prevajanje diode GS.
7. Preščipnjenje kanala in nasičenje toka ponora.
8. Tehnološka težava JFET: kolebanje Ut.
9. MOSFET iz silicija s štirimi elektrodami G,S,D,B.
10. Karakteristike N-kanalnih in P-kanalnih MOSFETov.
11. Simboli MOSFETov depletion/enhancement (vgrajeni/inducirani kanal).
12. Tehnološki razvoj: dolžina kanala, frekvenčna meja, upornost kanala.
13. Močnostni nizkofrekvenčni MOSFET, struktura VMOS.
14. Temperaturni koeficient upornosti kanala, porazdelitev toka.
15. Nadomestno vezje MOSFETa v linearnem režimu, velikostni razredi kapacitivnosti.
16. Povezave in hlajenje močnostnega VF tranzistorja, ohišje iz BeO.
17. Močnostni visokofrekvenčni MOSFET, struktura LDMOS, skupni S.
18. Polprevodniki 3-5, mobilnost elektornov v Si in v GaAs.
19. Izvedba MESFETa iz GaAs, dolžina kanala nekoč in danes.
20. Lastnosti MESFETov iz GaAs (majhen šum) in InP (hitrost).
21. Prebojne napetosti malosignalnih in močnostnih MESFETov.
22. Zvišanje mobilnosti v heterostrukturi, 2D oblak elektronov.
23. Frekvenčne zmogljivosti HEMTov.
24. Igmax HEMTa, mehanizem počasnega crkovanja HEMTov.
25. Primerjava krivulj Id(Ugs) za MESFET, HEMT in E-HEMT.
26. Visokofrekvenčna stikala z MESFETi.
27. SiC: kristalne oblike, bandgap, mobilnost, MESFET.
28. Bandgap, mobilnost in prebojna trdnost galijevega nitrida.
29. Prerez GaN/GaAlN HEMT na podlagi iz SiC.
30. Ojačevalnik z GaN HEMTom, krivulja Id(Ugs), tolerance Ut.
31. Tloris nizkošumnega in močnostnega MESFETa.
32. *** 1. TIHA VAJA IZ VISOKOFREKVENČNE TEHNIKE ***.